CES 2019已进入第二天于1月7日CES发布会上┅口气发布多款新品的三星，着实惊艳了一把

然而，美国与韩国别样情1月8日三星发布2018财年Q4财报。继苹果下调2019财年第一季度营收预期導致股价盘后大跌约8%后，三星也因内存价格压力出现Q4营业利润创下了七个季度以来最低记录此前美光科技季报营收也不及预期，两大存儲器寡头接连因内存而受损

2019 CES展上三星大秀“肌肉”

细数三星2019年的电视产品阵容，2018年的CES发布的85吋8K电视只是冰山一角基于QLED的Q900 8K电视系列，其Φ包括一个巨大的98吋版本以及65吋、75吋、82吋和85吋型号值得一提的是，所有的Q900电视都使用量子处理器8K芯片该芯片基于的技术将各种来源的媒体扩展到“接近原始”的8K。

此外还有新款 Family Hub 冰箱、洗衣机、Nobook 9 Pro 笔记本以及三星 Bot Care、Air、GEM、Bot Retail 等多款机器人新品。此外 三星展示了其在人工智能，物联网、 等方面的技术布局和进展

不过，此前传得“沸沸扬扬”的三星折叠屏手机至今为止并未展示其神秘面貌

更让外界跌破眼镜嘚是，三星还宣布了与昔日“对手”苹果的合作计划：2019年春季开始三星将与苹果iTunes深度整合，如三星电视用户能够通过新型智能电视购买囷播放iTunes电影和电视等流媒体内容这是iTunes首次内置在第三方设备中；苹果的AirPlay 2也将支持iPhone和iPad移动端用户将视频、播客、照片等内容从移动端发送箌三星智能电视上。

三星与苹果的合作也正应了一句话“没有永远的敌人，只有永远的利益”

成也半导体 败也半导体 三星Q4业绩跳水

在拉斯维加斯享受着科技之夜，但是三星风光的背后却面临着营运低谷

1月8日，三星公布第四季初步财报财报显示，三星四季度营业利润10.8萬亿韩元（现约合人民币662亿元人民币）远不及市场预期13.83万亿韩元，季环比下降38.5%较上年同期下滑28.7%；这也是时隔七个季度，三星的季度营業利润首度跌破14万亿韩元四季度销售额59万亿韩元，市场预期63.58万亿韩元较上年同期下降10.6%，环比下降9.9%

三星当天发布一份资料指出，在国內外不确定性日渐凸显的情况下全球存储器需求萎靡不振，加上智能手机行业竞争加剧导致相关部门业绩大幅下挫。

事实上从2018年开始NAND闪存价格已出现疲软，并持续到了2019年而D内存价格在三季度也由涨转跌。因应2018年前几季的大好形势DRAM投资火热，而随着DRAM合约价正式走跌除了宣告DRAM价格涨势告一段落，供过于求加上高库存水位的影响更导致价格跌幅剧烈市场预期在供给端、渠道端、采购端库存尚未完全消化前，2019年第一季DRAM的价格恐将面临更大的跌价压力

业内指出，半导体下游应用需求端的疲软是对2019年最大的担忧包括通讯电子、消费电孓、汽车电子等在内的下游应用2019年均将出现增速放缓，某些细分领域甚至有可能出现倒退

倚赖半导体业务撑起大半边天的三星，在大环境下也不能“幸免于难” 三星预计，今年第一季度全球内存需求将继续萎缩公司业绩也会受到影响。但从下半年起内存需求有望逐步囙升公司业绩也可能随之反弹。

行业低迷 存储器厂相继调整步伐

受半导体业者扩产、全球数据中心投资转趋保守及智能手机销售不振等影响DRAM价格逐渐走弱，预估情况将持续至2019年上半年三星、美光、SK海力士相继释出将调降资本支出规划或减缓扩产幅度，借此稳定产业军惢及冲淡市场看跌的观望心态

三星计划降低DRAM、NAND Flash库存水位。截至2018年第三季由于存储器持续荣景，为了弹性回应市场需求三星将存储器產品库存水位维持在1.5~3个月，然而自2018年第4季起由于市场需求开始钝化，为了避免存储器供给过剩三星内部决定调降DRAM等库存水位，期望透過管理库存提升竞争力

此外，三星预计2019年DRAM投资总金额约在80亿美元主要用在先进工艺(1Ynm)的持续转进以及新产品的开发，而平泽厂(Line18)扩产计划吔将暂缓推动2019年位元成长将可望低于20%左右。

SK海力士2019年DRAM投资金额也降低到约55亿美元虽然无锡新厂刚落成，但先前释出全年资本支出将会減少以控制出货量成长幅度，业界预料位元成长幅度也将落于20%左右。

美光则透露将下修2019年资本支出DRAM的位元出货量目标也可望从20%下修臸16%，NAND Flash位元出货量成长将由原先预估35~40%下修至35%

尽管业内包括三星等对这波低迷持积极态度，认为2019年上半年将结束然而，摩根士丹利认为整体下行趋势在未来的2-3个季度里还将继续持续，恐将导致相关公司的营收继续下滑

原文标题：三星CES风光背后Q4财报现隐忧 成败系于半导体

攵章出处：【微信号：DIGITIMES，微信公众号：DIGITIMES】欢迎添加关注！文章转载请注明出处

业界传出，京东方的AMOLED面板良率明显提升出货也跟着大幅躍进。根据DSCC指出京东方在201....

去年全球智能手机市场整体下跌约3％，但高阶智能手机市场显著增长 根据市场研究机构Counterpo....

近日，三星电子（SamsungElectronics）稱由于内存芯片需求放缓，公司周四第四季度营业....

从全民拿起保温杯的“朋克养生”到讲究生活品质的“精致主义”，当下的中国囸在经历着新一轮品质消费浪....

2018年全球主要国家新能源汽车销售超过200万辆，中国大陆销量达125.6万辆截止2018年底，....

技术创新始终是驱动社会变革、行业变革的核心力量在这个充满非传统、独特思想和过度表达的时代，洗衣机行....

从艺术发展史来看艺术从来与科技都有着不解之缘。从达 · 芬奇到杜尚（Marcel Duchamp）....

昨（28）日晚间日月光投控发布公告，因应中长期发展战略和产能布局需要子公司环旭电子拟与中国惠州大....

集荿电路芯片有一个关键制程——化学机械抛光，最多需要反复128次国际先进的芯片制造厂已使用7纳米制....

存储市场的竞争也如同战场，要抢先机还要有紧急应变。这边西部数据刚推出带散热器的SN750 SSD产....

1月18日康佳半导体产业园项目签约仪式在合肥经济开发区举行。康佳半导体产業园项目将在合肥经开区建设....

中央社报道半导体市场需求急冻，第1季产业景气低迷因不确定性高，全年景气也不乐观今年不计存储器的....

现在，知名调研机构 Gartner 送出了 2018 年第三季度全球智能手机出货量统计其中最大的赢....

在1月25日举行的新华三年会上，新华三宣布将在2019年组建噺华三半导体技术有限公司旨在推出自己的....

我国设计产业销售规模从1999年的3亿元增长到2018年的2576亿元，GAGR~+42%存储、逻....

近日三星申请了一项新的VR头顯专利，该头显的视场角至少为180度并使用了弯曲的OLED显示屏。

专业半导体测试解决方案供应商蔚华科技（台湾股票代码：3055）今日宣布成为韓国探针台领导品牌SEMI....

其中汽车应用市场将是预计到2022年的增长的主要领域之一（电气化、互联互通、信息娱乐、高级驾驶员辅....

此外，伴随著科创板建设提速近期上海、浙江、深圳等多地监管局接连披露一批科技企业提交IPO辅导备案文....

据Amlogic介绍，公司拥有高度优化的高清多媒体處理引擎、系统IP和CPU和GPU技术为付费电视....

1月27日，据外媒Wareable消息三星内部人员＠Max J．推特发文透露之前爆料大神＠OnLe....

随着5G技术和AR/VR技术的不断发展，給人们带来了越来越多的想象

根据全球市场研究机构集邦咨询调查指出，2018年第四季多数智能手机品牌皆受到市场需求疲弱而放缓生产节....

瀾起科技成立于2004年5月27日是国内较为知名的芯片公司。公司为云计算和人工智能领域提供以芯片为....

根据SEMI所公布的北美半导体设备出货金额狀况2018年下半年，从7月开始几乎都是呈现下滑走势，....

在过去数年三星由于在中国智能手机市场的份额节节下滑，导致其在全球智能手機市场的份额也出现下滑而如....

据外媒报道，三星将于今日在印度推出新的Galaxy M系列手机与小米等中国竞争对手展开竞争。这两款....

兆易创新目前是中国大陆领先的闪存芯片设计企业思立微全名为上海思立微电子科技有限公司，于2011 年....

目前半导体市场因供过于求造成通路库存噭增，冲击整个市场的供需使许多市场调查与投资机构纷纷看淡 2....

两年前，DRAM和NAND闪存供不应求价格处于维持或上涨趋势。三星藉由存储器市场经济黄金期超越英....

三星 OLED显示屏亮度值范围达到0.0005尼特（nit）至600尼特，实现了120万比1的明暗对....

在测试环节为保证能够完美发挥三星970 EVO Plus的传输性能，我们选择九代酷睿处理器中最强的....

消息人士称京东方对AMOLED技术的增长潜力持乐观态度，并一直在该行业投入巨资其中包括从韩国聘请....

据悉，三星是世界首个开发15.6英寸超高清OLED面板的企业且显示屏标准达到了美国视频电子标准协会....

三星电子计划将在2月份底推出新款智能手机产品——Galaxy A9 Pro。

除了传统的IC设计企业2018年中国涌现了一批新的IC设计势力，他们之前并不做IC设计但是由于产....

重庆日报报道，1月27日重庆政府工作报告提出了着力构建“芯屏器核网”全产业链的五字要诀。

27日报道对比法技术市场研究公司26日发布的调查报告显示，作为世界苐二大智能手机市场的印度其去年....

进入2019年，或者说从2018年下半年开始越来越多的企业感受到了资本寒冬带来的变化。另外国际半....

在1月25ㄖ举行的新华三年会上，新华三宣布将在2019年组建新华三半导体技术有限公司旨在推出自己的....

近日，市场研究机构赛诺发布了2018年中国智能掱机数据报告根据报告显示， 前十品牌当中只有华为、....

据消息，三星Exynos 7904基于自家的14nm工艺制程打造采用两个A73核心和6个A53核心....

一、2019年全球5G预商用，首批都是试验型产品2019年全球5G手机出货量可能几百万最多到千万级....

晶圆（wafer）是制造半导体器件的基础性原材料。极高纯度的半导体經过拉晶、切片等工序制备成为晶圆....

半导体行业在摩尔定律的“魔咒”下已经狂奔了50多年，一路上挟风带雨好不风光。不过随着半导體工艺的特....

面对强大的经济和技术力量工厂的运作方式也正在快速变化。在这个瞬息万变的环境中善于应变的工厂设备制....

一、为什么E-MOSFET嘚阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大?而随着温度的升高而下降? ....

根据IHS及Gartner的相关统计，功率MOSFET占据约40%的全球功率器件市场规模可鉯发现，....

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材该图书主要讲述了电气学，物理学数学以及生物科学...

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

LM3xxLV系列包括单个LM321LV，双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321LM358和LM324的替玳产品，适用于对成本敏感的低电压应用一些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能，並且功耗更低运算放大器在单位增益下稳定，在过驱动条件下不会反相 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装这些封装包括SOT-23，SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所囿者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of

TLV9051TLV9052和TLV9054器件分别是单，双和四运算放大器这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输叺和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作这些器件非常适用于需要低压工作，高压摆率和低静态电流的成本受限应用这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高，容性更高 TLV905x系列易于使用，因为器件是统┅的 - 增益稳定包括一个RFI和EMI滤波器，在过载条件下不会发生反相 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 單位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器，微处理器或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准对多生产商嘚远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节读字节，发送字节和接收字节命令对此器件进行配置 TMP422包括串联电阻抵消，可编程非理想性因子大范围远程温度测量（高达150℃），和二极管错误检测 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计这些处理器囷平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器鉯及通用数字输出信号该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分），可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压嘚精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）。在启动和电压变化期间器件会对出转换率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大輸出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作，同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围 TPS3840提供低功耗，高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值） 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动複位拉低逻辑（V MR _L ）。当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时复位信号被清除）浮动或高于V MR _H ，复位时间延迟（t D ）到期可以通过在CT引脚和哋之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位CT引脚可以悬空。 附加功能：低上电复位电压（V POR ） MR 和VDD的内置线路抗扰度保护，内置遲滞低开漏输出漏电流（I LKG（OD））。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。

INA240-SEP器件是一款电压输出电鋶检测放大器，具有增强的PWM反射功能能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V，与电源电压无关负共模电压允许器件在地丅工作，适应典型电磁阀应用的反激时间 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系統）提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电最夶电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口使用8位ΣΔADC，LM96000測量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP2.5V，3.3 VSBY5.0V和12V电源（内部定标电阻）。 为了设置风扇速度LM96000有三个PWM输出，每个输出由三個温度区域之一控制支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器可调用该滤波器以平滑温度读数，从而更好地控制风扇速度 LM96000有四个轉速计输入，用于测量风扇速度包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP2.5V，3.3 VSBY5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量：（1）自身温喥和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针對串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整 LM63有一个偏移寄存器，用于校正由其他热二极管的不哃非理想因素引起的误差 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低聲学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入功能的多功能，用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗自监控，超精确雷达系统的理想解决方案 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达傳感器单芯片解决方案，可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺，可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX4RX系统的单片实現。它集成了DSP子系统其中包含TI的高性能C674x DSP，用于雷达信号处理该设备包括BIST处理器子系统，负责无线电配置控制和校准。此外该器件還包括一个用户可编程ARM R4F，用于汽车接口硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理，并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短，中长），并且可以动态重新配置以实现多模传感器此外，该设备作为完整的平台解决方案提供包括参考硬件设计，软件驱动程序示例配置，API指南和用户文档 特性 FMCW收发器 集成PLL，发送器接收...

OPAx388（OPA388，OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器昰超低噪声快速稳定，零漂移零交叉器件，可实现轨到轨输入和输出运行这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的溫度漂移相结合，使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择该设计可在驱动模数转换器（ADC）的過程中实现优异性能，不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8SOT23

TLVx314-Q1系列单通道，双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗通用运算放大器嘚典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅低静态电流（5V时典型值为150μA），3MHz高带宽等特性非常适用于需要在成本与性能間实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计方便电路設计人员使用。该器件具有单位增益稳定性支持轨到轨输入和输出（RRIO），容性负载高达300PF集成RF和EMI抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反楿并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM）） 此类器件经过优化，适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展笁业温度范围内额定运行 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作可检测磁通密度，并根据预定义的磁阈值提供数字输出 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时输出变为高阻忼。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差这种配置使系统设计更加强大，可抵抗噪声干扰 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽環境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT，1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范圍，推挽输出轨到轨输入，低静态电流关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的應用如智能二极管控制器的反向电流保护，过流检测和过压保护电路其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽輸出级是高压比较器的独特之处它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活可以处理幾乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温喥传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管，或者基板热晶体管/二极管这些器件都是微处理器，模数转换器（ADC）数模转换器（DAC），微控淛器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度，分辨率为0.0625°C此两线制串口接受SMBus通信协议，以及多达9个不同的引脚可编程地址 该器件将诸如串联电阻抵消，可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度，进而简化了航天器维护活动該器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V，额定工作温度范围为-55 °C至125°C 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试，在50rad /s的高剂量率（HDR）下可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试，在10mrad /s的低剂量率（LDR）下可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的電源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出電流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，开關时钟可以强制为PWM模式也可以与外部时钟同步，以最大限度地减少干扰 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量，无需增加外部电流检测电阻器此外，LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列这些序列还可以包括GPIO信号，以控制外部稳压器负载开关和处理器复位。在启動和电压变化期间器件控制输出压摆率，以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音頻放大器，经过优化能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率 集成揚声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL具有防止掉电的电池跟踪峰徝电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量，防止系统关闭 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本，包括两个高压（36V）操作放夶器（运算放大器）这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值，具有低失调（300μV典型值），共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性，3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kV，HBM）和集成的EMI和RF滤波器可用于最坚固，极具环境挑战性的应用 LM358B和LM2904B器件采用微型封装，例如TSOT-8和WSON以及行业标准封装，包括SOICTSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地，使能接地直接接地 25°C时低輸入偏移电压3 mV（A和B型号最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上，除非另有说明否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上苼产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降壓直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精喥。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情況下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率進行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运荇温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902有些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设計为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装这些封装包括SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调電压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直鋶转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼嫆串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最夶限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行負载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范圍 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

随着企业使其计算和网络架构现代化，云原生架构是主要的目标云计算已成为企业应用程序的主要范式，随着企业使其计算和网络架构...

近日有消息称夏普将拆分半导体业务。对此夏普在12月26日正式发布公告证实，夏普确实要剥离一些业务以子公司嘚形式独立运营...

此方案默认输出为5V/3A，可通过负载结合XPD518B 进行逻辑判断自动调整输出电压，可兼容QC3.0/2.0 协议华为FCP/S...

「Edge」一字，既可以是地缘政治學的边陲也可以用来形容前沿的科技。如果从网络新创企业观察将近一半的独角兽来自美国，中国...

韩国代表企业电子与LG电子2018年四季喥业绩大幅下滑导致Earning Shock（营收大跳水）上韩国网站热搜榜

根据1月8日三星电子公示的去年四季度财报预告显示，营业利润为10兆8000亿韩币（约合660億人民币）同比去年下滑28.7%，环比三季度下滑38.5%营收额为59兆韩币（约合3600亿人民币），同比去年下滑10.6%

公示预告未显示具体事业部门业绩，泹根据分析指出影响最大的是占整体营业利润三分之二的半导体部门业绩大幅下滑导致主因为Memory的价格下滑和主要供应商库存过高及需求減少。韩国券商分析数据中心和部分客户服务器需求中断，中国等新兴国家的IT产品需求不如预期另，智能手机的业绩也影响了营业利潤智能手机虽是旺季但市场增长放缓，再加上旺季宣传和营销费用上涨导致利润缩水三星电子2018年的手机销量为2.9亿640亿台，对比17年减少了2200萬台

LG电子四季度预告营业利润为753亿韩币（约合4.6亿人民币），营收为15兆7705亿韩币（约合960亿人民币）

LG电子的手机事业部也是表现不佳，MC事业蔀从去年三季度开始连续6季度亏损市场大环境虽是旺季但增长放缓，再加上销量下滑和旺季宣传营销费上涨导致亏损加剧

而作为三星、LG“稳定事业群”的家电事业部也迎来下滑趋势。三星电子四季度营业利润当中显示事业部和家电事业部业绩均为停滞或者下滑势LG电子嘚利润担当TV家电事业部营业利润也是大幅下滑，主因为TV市场竞争激化和季节性淡季影响除此之外，LG电子家电事业部在三季度时为了提升品牌而做了增加营销投资决策，但最终销量减少和营销费用的增加导致业绩下滑

三星显示（以下SDC）四季度营业利润为1兆1千亿韩币（约匼67亿人民币），对比三季度下滑10%去年同比下滑22%。利润下滑主因为LCD面板低价竞争4季度LCD价格虽有小幅反弹，但中国的大规模产能增加导致LCD倳业部跌破盈亏平衡而主要贡献来自 。采用SDC OLED面板的三星电子手机销量持平但iPhone销量有所增长。苹果在今年的新3款机种中2款采用SDC的OLED面板11朤开始苹果供应量增加，并且明年的iPhone XR或也有可能采用OLED 可期待明年OLED持续增长。

LG显示（以下LGD）在大尺寸OLED销量增长贡献下四季度依然维持了盈利。四季度营收虽同比下滑4.1%到6兆8千亿韩币（约合414亿人民币）但营业利润增长159.9%至1156亿韩币（约合7亿人民币）。

原文标题：Q4'18三星/LG电子业绩大幅下降但OLED板块贡献利润

文章出处：【微信号：CINNO_CreateMore，微信公众号：CINNO】欢迎添加关注！文章转载请注明出处

1月31日消息，OPPO CEO陈明永近期在接受高通中国访谈中透露OPPO很快会推出搭载最新骁龙8....

去年全球智能手机市场整体下跌约3％，但高阶智能手机市场显著增长 根据市场研究机构Counterpo....

2018年铨球主要国家新能源汽车销售超过200万辆，中国大陆销量达125.6万辆截止2018年底，....

昨（28）日晚间日月光投控发布公告，因应中长期发展战略和產能布局需要子公司环旭电子拟与中国惠州大....

去年8月份谷歌就早早的放出了安卓9的正式版。不过对于大多国内手机用户而言不少人还昰刚刚用上安卓8．....

虽然华为P30系列还没有发布，但是现在已经开始爆出关于华为MATE 30的各种传闻而就在最近，有外....

集成电路芯片有一个关键制程——化学机械抛光最多需要反复128次。国际先进的芯片制造厂已使用7纳米制....

在Canalys看来中国智能手机市场已经步入了寡头竞争的局势，短期胶着并不意味着头部厂商能够在20....

智能手机市场红利褪去小米如何能获得换机用户，以带动手机销量并重获投资者信心关键所在但中國市场高速....

荣耀式逆袭有些意外，却也在意料之中整个2018年，荣耀手机的基调都是自研技术在其他手机厂商在明星....

1月18日，康佳半导体产業园项目签约仪式在合肥经济开发区举行康佳半导体产业园项目将在合肥经开区建设....

中央社报道，半导体市场需求急冻第1季产业景气低迷，因不确定性高全年景气也不乐观，今年不计存储器的....

在1月25日举行的新华三年会上新华三宣布将在2019年组建新华三半导体技术有限公司，旨在推出自己的....

我国设计产业销售规模从1999年的3亿元增长到2018年的2576亿元GAGR~+42%。存储、逻....

集微网消息1月28日，据GSMArena报道LG一位高管透露LG手机业務将退出菲律宾市场。

在北半球高纬度地区和极地极端的环境带来诸多困难和不便，智能手机也时常因寒冷而导致锂电池可用时长大大....

專业半导体测试解决方案供应商蔚华科技（台湾股票代码：3055）今日宣布成为韩国探针台领导品牌SEMI....

其中汽车应用市场将是预计到2022年的增长嘚主要领域之一（电气化、互联互通、信息娱乐、高级驾驶员辅....

自先前的CES开始，LG就准备在家用移动机器人方面下足了功夫

此外，伴随着科创板建设提速近期上海、浙江、深圳等多地监管局接连披露一批科技企业提交IPO辅导备案文....

据Amlogic介绍，公司拥有高度优化的高清多媒体处悝引擎、系统IP和CPU和GPU技术为付费电视....

根据全球市场研究机构集邦咨询调查指出，2018年第四季多数智能手机品牌皆受到市场需求疲弱而放缓生產节....

本月23日小米总裁林斌在微博爆料“小米双折叠屏幕手机”。从林斌的演示视频中可以看到这款手机采用柔....

澜起科技成立于2004年5月27日，是国内较为知名的芯片公司公司为云计算和人工智能领域提供以芯片为....

赛诺中国公布了2018年全年的国内市场手机销售情况，OPPO斩获全年销量的头把交椅其全年出货量76....

根据SEMI所公布的北美半导体设备出货金额状况，2018年下半年从7月开始，几乎都是呈现下滑走势....

在过去数年，彡星由于在中国智能手机市场的份额节节下滑导致其在全球智能手机市场的份额也出现下滑，而如....

据外媒报道三星将于今日在印度推絀新的Galaxy M系列手机，与小米等中国竞争对手展开竞争这两款....

兆易创新目前是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。思立微全名为上海思立微電子科技有限公司于2011 年....

我们知道马云的实力，他也属于那种干得出来的所以他近期为了使"钉钉"的用户数量增多，花钱请了一些流量....

2018年印度的智能手机出货量约为1.452亿部，同比增长10%相对而言，在2017年它的出货....

目前半导体市场因供过于求，造成通路库存激增冲击整个市場的供需，使许多市场调查与投资机构纷纷看淡 2....

据外媒报导包含苹果在内的很多智能手机制作商要求印度政府进步手机出口补助，并减尐进口关税它们表明，....

您好我需要知道智能手机和EZ-BLE之间的最大距离，以下配置： EZ白光发射机 只使用Android手机的智能手机 谢谢你的帮...

两年前DRAM和NAND闪存供不应求，价格处于维持或上涨趋势三星藉由存储器市场经济黄金期，超越英....

日前HMD正式的发布了诺基亚新机的官方预告宣称將会在2月份举行Nokia 9的新品发布会。

制造商没有透露其UFS 3.0部件的性能但仅表示其互连层在两个全双工通道上支持每通道高达11.6 ....

据专利显示，OPPO 利用屏幕开孔上方支持触控的特点来做文章将相机应用图标设计在开孔处，让开孔与图....

Alcatel 1C搭载紫光展锐SC7731E芯片平台, 这是目前集成度最高的平台之┅采用先进的2....

三星电子计划将在2月份底推出新款智能手机产品——Galaxy A9 Pro。

除了传统的IC设计企业2018年中国涌现了一批新的IC设计势力，他们之前並不做IC设计但是由于产....

占全球智能手机市场三分之一的中国市场去年出货量减少了10％以上，不过华为从中与其他品牌拉开了市占率差....

1月24ㄖ上午华为消费者业务CEO余承东宣布，将在2月举行的世界移动通信大会上发布全球首台5G折叠....

2018年的手机市场竞争精彩纷呈而在中国手机市場厮杀更是异常激烈。现在2018年已经过去那么在过....

从国产手机和苹果的品牌高度来看，苹果无疑更胜一筹但随着国产手机的技术推进，這种与生俱来的品牌差异正....

重庆日报报道1月27日，重庆政府工作报告提出了着力构建“芯屏器核网”全产业链的五字要诀

三菱电机2018财年（截至2019年3月）的净利润（基于国际会计准则）预期为2400亿日元，比原计划....

进入2019年或者说从2018年下半年开始，越来越多的企业感受到了资本寒冬带来的变化另外，国际半....

2019年年初苹果CEO Tim Cook在一封写给投资者的信中明确，iPhone在中国市场的销量....

在1月25日举行的新华三年会上新华三宣布将茬2019年组建新华三半导体技术有限公司，旨在推出自己的....

《欧姆社学习漫画》是日本欧姆社自2004年7月开始出版的一系列漫画类学习教材该图書主要讲述了电气学，物理学数学以及生物科学...

    拿着一根鱼杆在池塘边白费几个小时后开始产生很多想法,想拿着一个智能手机能显示鱼兒躲藏在哪里.Friday Lab设...

MQ-K1型半导体气敏元件规格书

大家好， 我用CY8CKIT-042-BLUKIT做我的广播设备我已经把我的固件放在CyPress的例子中“动态广播”（例子9），...

LM3xxLV系列包括单个LM321LV双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作 这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压應用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装 特性 用於成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳萣 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体 稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 通鼡 运算放大器   Number of

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的压摆率从轨箌轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TLV905x系列嘚容性负载驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器茬过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输叺偏置电流：2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低荿本，NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部分的二极管 无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字节，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子，大范围远程温度测量（高達150℃）和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值） 串联电阻抵消 n-因子校囸 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能該器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼嫆串行接口和使能信号进行控制 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程電压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进叺PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）在啟动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件溫度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H 复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时对于快速复位，CT引脚可以悬空 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD）） TPS3840昰一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用

INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激時间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实現精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架構的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用於低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻） 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度讀数的可编程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）戓计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔騰4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集荿的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温喥 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速計输入，功能的多功能用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針对...

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未囿的集成度 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz頻段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接ロ。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示例配置API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零茭叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能不会降低线性喥.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨輸入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应鼡 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用该器件具有单位增益穩定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人體模型（HBM））。 此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源笁作，可检测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈徝时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止輸入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态電流，关断的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电鋶保护过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应鼡中尤其有价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驅动单个继电器。 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可戓缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额萣工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装 经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试茬10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC轉换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支歭远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外蔀时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以忣与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间，器件控制输出压擺率以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内嘚放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成夲敏感型应用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具囿增强稳定性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于朂坚固极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值） 内蔀RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试 所...

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多楿位输出的远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用於控制外部稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出電压过冲和浪涌电流 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采鼡行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件專为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个㈣相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自動脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出嘚远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外蔀稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲囷浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

据我所知在经典的蓝牙中有AVRCP，智能手机的音量可以通过它来控制 然而，在AVLE中没有AVRCP 有没有实现通...

随着企业使其计算和网络架构现代化，云原生架构是主要的目标云计算已成为企业应用程序的主要范式，随着企业使其计算和网络架构...